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Soitec开拓 出用于22nm工艺的极薄型SOI晶圆制造技术

发布时间:2018-11-26 16:14编辑:shuaishuai阅读(

    以及如何获得公司内部及客户对晶圆的认可,美高梅开户网,对于该晶圆采纳 22nm以及更精细的CMOS工艺技术来制造完全耗尽型SOI元件的准备工作也已就绪,美高梅开户网,之后,美高梅开户注册平台 ,实证结果表明,

    膜厚均匀性为±0.5nm以内, 此次开拓 的SOI晶圆的硅层厚度为20nm, ,

    此次还试制了具有高介电率(high-k)及金属栅极层叠结构、栅极长25nm的完全耗尽型SOI晶体管,这种结构远远优于原来的块状硅结构,

    法国SOI(绝缘层上硅)基板厂商Soitec Group开拓 出了300mm的极薄型SOI晶圆制造技术,另外,制造工艺采纳 了该公司的“Smart Cut”技术,该公司致力于晶圆与工艺的优化,

    能够通过采纳 SOI底板特定参数的应用程序来进行调整, Soitec在2008年的“SEMICON West”上公布 了300mm极薄型SOI晶圆平台,