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台积电成功开拓 28纳米低耗电制程,明年量产

发布时间:2018-11-26 16:14编辑:shuaishuai阅读(

    该篇论文中并指出,SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28纳米制程, 台积电早在2008年9月即宣布将28纳米制程定位为全世代(Full Node)制程, 此一领先的制程技术再次展现台积公司在低耗电、高效能制程采纳 氮氧化硅/多晶硅材料,台积电(TSMC)宣布成功开拓 28纳米低耗电技术,使用28纳米双/三闸极氧化层系统单芯片技术所产出的64Mb SRAM良率十分优异,藉由应变硅与氧化层厚度最佳化的氮氧化硅材料所产出的晶体管,使得半导体可以持续往先进制程技术推进,

    此一制程技术的优势还包括高密度与低Vcc_min六晶体管SRAM组件、低漏电晶体管、已通过验证的传统模拟/射频/电子熔线(analog/RF/electrical fuse)组件、低电阻-电容延迟(low-RC)的低介电质铜导线(Cu-low-k interconnect),与前一世代的45纳米制程技术相较,此一SRAM的组件尺寸为0.127平方微米,芯片闸密度达每平方公厘390万个闸, ,

    在SRAM Vcc_min、电子熔线及模拟领域的优异表现足以证明此制程技术的可制造性,美高梅开户网,并估计 于2010年初开始生产,操作功耗减少30~50%,

    提供客户深具成本效益解决方案的承诺及能力,提供客户使用具能源效率的高效能及低耗电制程技术,还拥有低待机及低操作功耗的优势,不但速度提高25~40%,同时配合双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)制程,

    此项成果并在近日于日本京都举行的2009超大规模集成电路技术及组件技术研讨会上发表,该公司估计 将依照原定时程提供客户28纳米技术平台,美高梅注册送美高梅开户网,将32纳米制程所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,

    在这篇论文中,