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76岁DRAM芯片发明者将获IEEE荣誉勋章

发布时间:2018-11-26 16:12编辑:shuaishuai阅读(

    标度理论阐述了如何不断缩小晶体管尺寸,首个采纳 单晶体管设计的DRAM芯片才问世,1960年代末,但登纳德看好金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“MOSFET”),据国外媒体报道,76岁的IBM研究人员罗伯特·登纳德(Robert H. Dennard)将获得“电气电子工程师协会”(IEEE)发的荣誉勋章, 登纳德在IBM工作了51年,

    当时,” 登纳德终于制造出了采纳 单晶体管设计的存储单元,登纳德称标度理论和摩尔定律“相得益彰”,而且 存在一些问题,设计复杂,美高梅开户网,但存储芯片市场仍然是多晶体管DRAM芯片的天下,美高梅开户网,IBM大型主机主要使用磁芯存储器,美高梅开户网,其主要成就有两项:1960年代末发明的DRAM内存芯片和1970年代中期发表的标度理论(scaling theory),但我仍然认为它非常有前途,

    但其一个优点是具有非挥发性,直到1970年代中期,磁芯存储器不但容易损坏,而且价格昂贵、速度慢, ,

    所有其他研究人员的存储芯片原型都采纳 多晶体管设计,造价昂贵,他承认,“MOSFET确实不够先进,开拓 更