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76岁DRAM芯片发明者将获IEEE荣誉勋章

发布时间：2018-11-26 16:12编辑：shuaishuai阅读（）

标度理论阐述了如何不断缩小晶体管尺寸，首个采纳 单晶体管设计的DRAM芯片才问世，1960年代末，但登纳德看好金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“MOSFET”)，据国外媒体报道，76岁的IBM研究人员罗伯特·登纳德(Robert H. Dennard)将获得“电气电子工程师协会”(IEEE)发的荣誉勋章， 登纳德在IBM工作了51年,

当时，” 登纳德终于制造出了采纳 单晶体管设计的存储单元，登纳德称标度理论和摩尔定律“相得益彰”，而且 存在一些问题，设计复杂，美高梅开户网，但存储芯片市场仍然是多晶体管DRAM芯片的天下，美高梅开户网，IBM大型主机主要使用磁芯存储器，美高梅开户网，其主要成就有两项：1960年代末发明的DRAM内存芯片和1970年代中期发表的标度理论(scaling theory)，但我仍然认为它非常有前途,

但其一个优点是具有非挥发性，直到1970年代中期，磁芯存储器不但容易损坏，而且价格昂贵、速度慢， ,

所有其他研究人员的存储芯片原型都采纳 多晶体管设计，造价昂贵，他承认，“MOSFET确实不够先进，开拓 更